32MHz(2520)8pF晶振匹配报告

浏览量: 上传更新:2020-09-26 14:25

康柏电子电路设计匹配报告书
 

   
客户名称: 机器型号:E327208-1# 芯片型号:CY8C582S7F 零件位置:X1 标称频率:32MHz(2520)
负载电容:8pF 调整频差:±10ppm 等效阻抗:50Ω(Max) 激励功率:100μW(Max)
测试目的:1、频率精准度测量
2、负性阻抗测量
3、激励功率测量
 

测试日期:2018 年 02 月 02 日
 

报告编号 测试 审核 签发
CM2018022 沈锦雷 / 高志祥

1.频率准确度测量:

取 CEC 晶体 上述规格晶体测试其参数
S&A 250B: 13.15 Report: 4.62
Reference Fr:32MHz (Using Measured FL) Power: 100.0μw Into RR
PL: 0.00ohms CL: 8.0pF
晶体号数 状态 FL Rr CO C6 Ts
(ppm) (ohm) (pF) (fF) (ppm/pF) CEC NO.1 Pass 3.8 14.6 0.85 3.1 19.6

初始电路设计 CY1=CY2=/,状况如下: CEC 晶体在电路板中测试:
(1)测试仪器:铷钟:SRS-FS725(带 GPS)
网络分析仪:Agilent E5100A 双通道有源探头:Agilent 1145A LCR 表:TH2822C
(2)测试方法:把频率信号作为一发射源,用探头靠近但不接触晶体, 用频谱仪分析其频率参数。




(3)测试结果:
 
 
 
 
 
 

晶体在电路中的频率偏差大于 9ppm。 2.负性阻抗测量

CEC 晶体在电路板中测试负性阻抗:
(1)测试仪器:铷钟:SRS-FS725(带 GPS)

网络分析仪: Agilent E5100A 数字万用表:Agilent 33401A 可调电阻:1000Ω
(2)测试步骤:
1) 将可调电阻与石英晶体串联接入回路
2) 调节 Vr 使回路起振或停振
3)  当回路刚停振时测试 Vr
4) 得到负性阻抗值│-R│= R1+Vr R1: 晶体的阻抗值
Vr: 可变电阻

5). 推荐负性阻抗值 -R>10R1 测试所得负性阻抗值如下表所示:(单位:ohm)
 
 

(3)测试结果:
 

晶体 CL=8pF
晶体序号 CEC NO.1
负性阻抗 750Ω

负性阻抗适合。

 
3.激励功率测量:
CEC 晶体在电路板中测试激励功率:
(1) 测试仪器:示波器:Agilent54642A
高频电流探头:Tek CT-6
 
 
(2)计算公式:
 
 

推荐激励功率小于 100μW


(3)测试计算结果:
 

晶体 CL=8pF
晶体序号 CEC NO.1
激励功率 22.3μW

根据以上测试结果得出,频率偏差较大,为减小频率偏差,我们建议更改晶振

规格 CL=8pF  CL=7.5pF,测试如下: 4. 频率准确度测量:
S&A 250B: 13.15 Report: 4.62
Reference Fr:32MHz (Using Measured FL) Power: 100.0μw Into RR

 

 
 
 
CEC NO.1:电路板上测试频率 32.000441MHz(13.78ppm)
晶体编号 单体 CL 外接电容 外接电容 S&A250B 电路板测量 频差
pF CY1 (pF) CY2 (pF) ppm ppm ppm
CEC NO.1 7.5 / / 14.2 13.78 -0.42

晶体在电路中的频率偏差小于 1ppm。

 
5.负性阻抗测量
 

晶体 CL=7.5pF
晶体序号 CEC NO.1
负性阻抗 750Ω
负性阻抗适合。

6.激励功率测量:
 

晶体 CL=7.5pF
晶体序号 CEC NO.1
激励功率 22.3μW
激励功率适合。

结论:我们建议使用以下规格晶振:
标称频率:32MHz晶振(2520) 负载电容:7.5pF 调整频差:±10ppm 等效阻抗:50Ω(Max) 激励功率:100μW(Max)
测试数据如上,谨供参考!

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